(от греч. epi — на и taxis — расположение, порядок), ориентированный рост одного кристалла на поверхности другого (подложки). Различают гетероэпитаксию, когда в-ва подложки и нарастающего кристалла различны, и г о м о э п и т а к с и ю (автоэпитаксию)...

(от Эпи... и греч. táxis — расположение, порядок)

ориентированный рост одного кристалла на поверхности другого (подложки). Различают гетероэпитаксию, когда вещества подложки и нарастающего кристалла различны, и гомоэпитаксию (автоэпитаксию)...

ЭПИТАКСИЯ (от эпи... и греч. taxis — расположение, порядок)

ориентированный рост одного кристалла на поверхности другого (подложки).

орф.

эпитаксия, -и

ЭПИТАКСИЯ (от эпи... и греч. taxis — расположение) — ориентированный рост одного монокристалла на поверхности другого (подложки). Вещества могут быть одинаковы (гомоэпитаксия, или автоэпитаксия) или различны (гетероэпитаксия).

сущ., кол-во синонимов: 2 гетероэпитаксия 1 гомоэпитаксия 2

сущ., кол-во синонимов: 1 эпитаксия 2

сущ., кол-во синонимов: 2 автоэпитаксия 1 эпитаксия 2

полупроводниковых приборов; один из пионеров электро- и фотостимулирующей эпитаксии.

при исследовании процессов кристаллизации, реальной структуры кристалла, эпитаксии, а также при изучении хим. реакций на поверхностях тв. тел.

деятельности: разработка полупроводниковых гетероструктур, разработка нового метода жидкофазной эпитаксии

методом диффузии (см. Эпитаксия, Полупроводниковая электроника). Особенность Л. т. — возможность

кристаллизации, эпитаксиальном наращивании (см. ЭПИТАКСИЯ), адсорбции, фазовых переходах, вакуумном

используется планарно-эпитаксиальная технология (см. ЭПИТАКСИЯ), фотолитография, ионное внедрение

ПП кристаллов (см. ЭПИТАКСИЯ).

Г. используются в разл. ПП приборах: ПП лазерах, светопзлучающих диодах, фотоэлементах, оптронах и т. д.

Эпитаксия), адсорбции (См. Адсорбция), фазовых переходах (См. Фазовый переход), вакуумном

ковой эпитаксии. Методом жидкостной эпитаксии получают гомо- и гетероэпитаксиальные структуры на основе

распространенными методами газофазной эпитаксии являются: хлоридная, хлоридно-гидридная и с применением

металлоорг. соединении. При хлоридной эпитаксии в качестве исходных материалов используют летучие хлориды

элементов, входящих в состав П. м. Исходными материалами при хлоридно-гидридной эпитаксии являются

летучие хлориды и гидриды соответствующих элементов, а при эпитаксии с применением летучих

тонких крист. слоев (от долей до сотен мкм) при кристаллизации из газовой фазы (см. ЭПИТАКСИЯ).

2

низким уровнем темнового тока, но более сложной технологией (сверхвысокий вакуум, эпитаксия, высокочистые исходные материалы и меньшей стабильностью.

осаждением из раствора InSb в расплаве In при 350–450 °C; методом молекулярно-лучевой эпитаксии

методом молекулярно-лучевой эпитаксии (взаимод. мол. пучков In и Р на нагретой до 500–600 °C

эпитаксии (реакцией мол. пучков In и As в вакууме 10 Па с послед. осаждением на нагретую до 400–500

в металлургических процессах стремятся иметь максимальное число зародышей.

Эпитаксия. Кристаллы, возникающие

гранями куба, либо гранями октаэдра. Явление ориентированного нарастания называется эпитаксией

Эпитаксия из газовой фазы происходит, если температура подложки выше некоторой критической

Эпитаксия используется для получения монокристаллических плёнок, применяемых, в частности

операция при изготовлении полупроводниковых приборов и в эпитаксиальной технологии (см. Эпитаксия

Эпитаксия) и др. Каналы непрерывных динодов изготавливают из стекла с высоким содержанием свинца

получивший название "искусственная эпитаксия". В области теории роста кристаллов показал

крист. плёнок, используемых в разл. областях совр. техники. Для процессов эпитаксии существенным явл

жидкостной эпитаксии из растворов в расплаве, а также путем разложения паров, напр., -дикетонатов металлов

Основы технологии кремниевых интегральных схем. Окисление, диффузия — эпитаксия, пер. с англ., М

распространение сочетание методов П. т. с технологией эпитаксиального выращивания (см. Эпитаксия). В результате

методом мол.-лучевой эпитаксии, хим. осаждением из газовой фазы, осаждением из водных растворов.

Многие

При этом можно изучать явления адсорбции посторонних атомов, эпитаксию, процессы окисления и т. п

монокристаллов выращивания, получения монокристаллич. пленок, в т. ч. эпитаксиальных (см. эпитаксия

методами эпитаксиального выращивания (см. Эпитаксия), диффузии (См. Диффузия), ионного внедрения (См

электроискровой обработки, ионной имплантации, плазмохимии, молекулярной эпитаксии, электронной

Самую низкую температуру кристаллизации (700–800 °C) обеспечивает метод мол. эпитаксии

глубокого вакуума (10−9–10−10 Па). Жидкофазную эпитаксию из раствора К. в металлич. расплаве (наиб

используется Фарадея эффект).

Тонкие эпитаксиальные плёнки (см. Эпитаксия) смешанных редкоземельных

используемых в различных областях современной техники. Для процессов эпитаксии существенным является контроль

м. д. в вычислит. технике относится к 1967.

Так, тонкие эпитаксиальные плёнки (см. ЭПИТАКСИЯ

гетероэпитак-сиальный слой (см. эпитаксия) кремния п- или p-типа проводимости толщиной ок. 1 мкм

напр., полупроводниковые пленки, полученные молекулярно-лучевой эпитаксией). Для упорядочения

для получения тонких пленок (см. эпитаксия), каталитич. поверхностей и модификации поверхности с целью

они могут распределяться в матрице M. закономерно (эпитаксия, синтаксия) или беспорядочно. Помимо

ориентированные (двойники, эпитаксия и синтаксия, симплектитовые и топотаксич. срастания), так и лишённые

монокристаллов выращивание), монокристаллич. пленок, в т. ч. эпитаксиальных (см. эпитаксия