Контакт двух различных по хим. составу полупроводников. На границе раздела ПП обычно изменяются ширина запрещённой зоны, подвижность носителей яаряда, их эффективные массы и др. хар-ки. В «резком»...

орф.

гетеропереход, -а

ГЕТЕРОПЕРЕХОД — контакт между двумя разными по химическому составу полупроводниками. Гетеропереходы могут быть анизотипными (p — n-гетеропереходы) или изотипными (p — p-гетеропереходы, n — n-гетеропереходы).

В зависимости от легирования обеих сторон П. г. можно создать р—n-гетеропереходы (анизотипные), р—р- и n—n

гетеропереходы (изотипные). Комбинации различных П. г. и р—n-переходов образуют гетероструктуры

Оптронах и т.д.

Лит.: Алферов Ж. И., Гетеропереходы в полупроводниковой электронике близкого будущего

лазеры на гетеропереходах, «Квантовая электроника», 1972, № 6; Алферов Ж. И., Инжекционные гетеролазеры

ГЕТЕРОСТРУКТУРА — комбинация нескольких гетеропереходов, применяемая в полупроводниковых лазерах, светоизлучающих диодах и др.

переход или гетеропереход. Важнейшей разновидностью И. л. явл. гетеролазер, включающий

два гетероперехода, между к-рыми находится активный слой с более узкой запрещённой зоной, чем в прилегающих слоях

в результате инжекции электронов и дырок в область p-n-перехода или гетероперехода под действием

по полупроводникам, гетеропереходам и приборам на их основе. Ленинская премия (1972), Государственная премия СССР (1984). Нобелевская премия (2000).

Санкт-Петербургского) научного центра РАН с 1989. Труды по полупроводникам, гетеропереходам

В отличие от гетероперехода — контакт двух областей с разными типами проводимости

распространенный способ накачки — инжекция носителей через гетеропереход (гетеролазер). Применяют в оптической связи и локации, оптоэлектронике и др.

и гетеропереходы (табл. 2, 3). В П. п. используются разл. явления, связанные с чувствительностью

Табл. 3. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ С ОДНИМ p-n-ПЕРЕХОДОМ, ГЕТЕРОПЕРЕХОДОМ ИЛИ ПЕРЕХОДОМ МЕТАЛЛ — ПОЛУПРОВОДНИК

Полупроводниковый прибор, содержащий один или несколько гетеропереходов – контактов между двумя

создал первый диод на гетеропереходе, а в 1971 г. – первый транзистор. Алфёров и Г. Крёмер (США

с электронно-дырочным переходом или гетеропереходом либо контактом металл — полупроводник

труды по исследованию гетеропереходов в полупроводниках и созданию приборов на их основе. Открыл

15% при освещении в земных условиях), и в СЭ на основе GaAs с полупроводниковым гетеропереходом (См

Полупроводниковый гетеропереход) (18%).

Конструктивно С. б. обычно выполняют в виде плоской панели

дырочный переход), полупроводниковым гетеропереходом (См. Полупроводниковый гетеропереход) либо

в частности в области р—n-перехода, и гетероперехода, вблизи контакта ПП — металл, возникает

Электронно-дырочный переход), гетеропереход или контакт металл — полупроводник (инжекционные лазеры

Инжекционные лазеры на гетеропереходе (появились в 1968) представляют собой, например, двусторонние

гетероструктуры (рис. 4). Активный слой (GaAs) заключён между двумя полупроводниковыми гетеропереходами (См

Полупроводниковый гетеропереход), один из которых (типа р—n) служит для инжекции электронов

наиболее эффективно. Для П. л. на гетеропереходе необходимая плотность тока при Т = 300 К более чем в 10

направление — гетеропереходы в полупроводниках.

В 1972 за фундаментальные исследования

гетеропереходов в полупроводниках и создание новых приборов на их основе удостоен совместно с другими Ленинской

структуры с гетеропереходами.

И. о. расширяет функциональные возможности оптич. и оптоэлектронных

однородных) кристаллах.

С. могут быть созданы искусственно, напр. в виде периодич. системы гетеропереходов

дырочный переход) или полупроводниковом гетеропереходе (См. Полупроводниковый гетеропереход

инжекция через p — n-переход или гетеропереход (см. ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНЫЙ ПЕРЕХОД), позволяющая

плоскопараллельные грани к-рого, перпендикулярные плоскости p—n-перехода и гетероперехода, служат зеркалами

пороговые плотности тока при темп-рах 300 К. Гетеролазер содержит 2 гетероперехода, один типа p — n

рис., б), полупроводниковым гетеропереходом (См. Полупроводниковый гетеропереход) или контактом

гетероструктуры, (см. ГЕТЕРОПЕРЕХОД)), в устройствах интегр. оптики, в вычислит. технике (элементы памяти с цилиндрическими магнитными доменами) и т. п.

возникающая в р — n-переходе и гетеропереходе. Она используется в фотовольтаических и солнечных

А., Фойхт Д., Гетеропереходы и переходы металл — полупроводник, пер. с англ., М., 1975.

Т. М. Лифшиц

полупроводниковой электроники. Исследование гетеропереходов привело к построению на их основе

Полупроводниковый гетеропереход), контакта полупроводник – металл, или при неоднородном облучении, а также

и гетероструктурах (см. Полупроводниковый гетеропереход), а также в ряде диэлектрических кристаллов и некоторых

полупроводниковые гетероструктуры (см. Полупроводниковый гетеропереход), инжекционные лазеры (См. Инжекционный

Полупроводниковый гетеропереход)) или структуры типа ФП — диэлектрик. Явление фотоинжекции

полупроводников с разными типами проводимости (см. Полупроводниковый гетеропереход); 3) вблизи контакта

а в другой — акцепторной (n-область); 2) на границе двух разл. ПП разными типами проводимости (см. ГЕТЕРОПЕРЕХОД

с полупроводниковыми гетеропереходами (См. Полупроводниковый гетеропереход), ПП аноды с p—n-переходом, в котором

с резкими границами р-n-переходов и гетеропереходов обусловливают широкое использование методов

создания гетеропереходов с резкими границами раздела и p-n-переходов, но и способствует совершенствованию

дырочными переходами (См. Электронно-дырочный переход) и полупроводниковыми гетеропереходами (См

Полупроводниковый гетеропереход). Для исключения действия рассеянного теплового излучения окружающих тел

инжекцией носителей тока через р-n-переход или гетеропереход, а также облучением поверхности

и обратном направлениях оказывается существенно различным (см. ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНЫЙ ПЕРЕХОД, ГЕТЕРОПЕРЕХОД

на гетеропереходах, которые работают в непрерывном режиме при комнатной температуре, создавая мощность ~5․10-2

[Холл (США) и Б. М. Вул, А. П. Шотов и др. (СССР)], а затем на гетеропереходах (Ж. И. Алферов и др

полупроводники с гетеропереходами, сверхпроводники 2-го рода, квантовые кристаллы, нитевидные кристаллы

свойства, энергетический спектр, кинетика носителей заряда и физические процессы в гетеропереходах

принадлежат основные работы по физике гетеропереходов в полупроводниках, в результате которых