орф.

гетероструктура, -ы

ГЕТЕРОСТРУКТУРА — комбинация нескольких гетеропереходов, применяемая в полупроводниковых лазерах, светоизлучающих диодах и др.

по технологии получения и исследованию свойств гетероструктур с размерным квантованием. Участник создания

 — диэлектрик и в многослойных гетероструктурах). Государственная премия Российской Федерации (1995).

микроэлектроники (явления на границе полупроводник — диэлектрик и в многослойных гетероструктурах). Государственная премия Российской Федерации (1995).

деятельности: разработка полупроводниковых гетероструктур, разработка нового метода жидкофазной эпитаксии

гетероструктуры.

Образование Г., требующее стыковки крист. решёток, возможно лишь при совпадении типа

периода решётки. Гетероструктуры получают также на основе многокомпонентных (четверных и более) тв

монокрист. Г. и гетероструктур стало возможным благодаря развитию методов эпитаксиального наращивания

явление «сверх-инжекции» в гетероструктурах, предложил принципы использования гетероструктур

германиевых выпрямителей. Открыл явление сверхинжекции в гетероструктурах и показал

что в полупроводниковых гетероструктурах можно принципиально по-новому управлять электронными и световыми потоками

Создал "идеальные" полупроводниковые гетероструктуры. Исследованиями Алферова фактически создано новое

г. в области физики за работы в области полупроводниковых гетероструктур для оптоэлектроники

перпендикулярно поверхности диэлектрика. Аналогично в гетероструктурах (напр., на основе GaAs) и у поверхности

гетеропереходы (изотипные). Комбинации различных П. г. и р—n-переходов образуют гетероструктуры

и гетероструктур стало возможным благодаря развитию методов эпитаксиального наращивания

полупроводников – гетероструктур. Созданные на их основе быстродействующие транзисторы широко применяются

заданное неоднородное распределение (ионнолегированные образцы, гетероструктуры). При анализе

многослойных гетероструктур необходимо учитывать влияние гетерог. фона и фазовой интенсивности. Гетерог. фон

распространение получили П. л. на основе гетероструктур (гетеролазеры), они имеют наиболее низкие

гетероструктуру составляют слои (рис. 4): p(AlxGa1-xAs); p(GaAs); n(AlxGa1-xAs).

Рис. 4. Схема

гетеролазера с двухсторонней гетероструктурой на основе AlGaAs (a) и его энергетич. диаграмма (б

и из кристаллич. гетероструктур, образованных чередованием кристаллич. слоев, различающихся по хим

составу, но имеющих одинаковый период кристаллич. решетки. Наиб. распространены гетероструктуры

и их твердых растворов. Гетероструктуры получают также на основе многокомпонентных (тройных

гетероструктуры (рис. 4). Активный слой (GaAs) заключён между двумя полупроводниковыми гетеропереходами (См

из активного слоя (электронное ограничение). При одинаковом токе накачки в активном слое гетероструктуры

чем в П. л. На р—n-переходах. Другое преимущество гетероструктуры состоит в том, что образованный

Ж. И. Алферов (СССР) предложил использовать гетероструктуры для П. л. Они были созданы в 1968

двусторонняя гетероструктура), б — его энергетическая схема.



Рис. 6. Схематическое изображение

и гетероструктурах (см. Полупроводниковый гетеропереход), а также в ряде диэлектрических кристаллов и некоторых

полупроводниковые гетероструктуры (см. Полупроводниковый гетеропереход), инжекционные лазеры (См. Инжекционный

гетероструктуры, инжекц. лазеры), в устройствах интегральной оптики, в вычислит, технике (элементы памяти

гетероструктуры, (см. ГЕТЕРОПЕРЕХОД)), в устройствах интегр. оптики, в вычислит. технике (элементы памяти с цилиндрическими магнитными доменами) и т. п.

например, формирование в ЭФМ электронно-дырочной гетероструктуры (см. Полупроводниковый гетерапереход (См

композиций (см. ниже). Для создания совершенных гетероструктур желательно использовать П. м

эпитаксии и эпитаксии с применением металлоорг. соед. позволил получить высококачеств. гетероструктуры

гетероструктуры GaxAl1_xAs/GaAs, Cu2S/CdS, α-Si:H, гетероструктуры α-Si:H/α-SixC1-x:H. С применением

для изготовления лазеров являются гетероструктуры: GaxAl1_xAs/GaAs, GaxIn1_xAsyP1-y/InP, GaxIn1-xAs/InP

Разрабатываются методы получения (нанотехнология) наноматериалов, а также гетероструктур с размерами

фаз в минералах и сплавах, распределения элементов в тонких слоях и гетероструктурах. РСМА

гетероструктур (в производстве интегральных схем);

– спекание мелкодисперсного К. д. в кварцевую керамику (см

собой более сложную структуру (гетероструктуру). Важная особенность инжекционных Л

высокоэффективные солнечные батареи на гетероструктурах. Начат выпуск автомобилей Волжского автомобильного

центров люминесценции (Л. А. Ребане, П. М. Саари) и полупроводниковые гетероструктуры. Разрабатывается

использовать для полупроводникового лазера гетероструктуры. Особо перспективен газодинамический