сущ., кол-во синонимов: 2 оптикоэлектроника 1 электрооптика 2

Направление электроники, охватывающее вопросы использования оптических и электрических методов обработки, хранения и передачи информации. О. возникла как этап развития радиоэлектроники (См. Радиоэлектроника) и вычислительной техники (См.

орф.

оптоэлектроника, -и

Область электроники, охватывающая проблему одновременного использования оптич. и электрич. методов обработки, передачи и хранения информации.

ОПТОЭЛЕКТРОНИКА — раздел электроники, связанный с эффектами взаимодействия оптического излучения с электронами в веществах (главным образом в твердых телах) и использованием этих эффектов для генерации, передачи, хранения, обработки и отображения информации.

Опт/о/электр/о́н/ик/а.

сущ., кол-во синонимов: 1 оптоэлектроника 2

сущ., кол-во синонимов: 2 оптика 12 оптоэлектроника 2

с 1989) АН Молдавии. Труды в области физики стеклообразных полупроводников и оптоэлектроники.

Молдавии. Труды в области физики стеклообразных полупроводников и оптоэлектроники.

спектроскопии и магнитооптике полупроводников, оптоэлектронике. Ленинская премия (1966) — Государственная премия СССР (1976).

Труды по разработке материалов и структур с заданными свойствами для изделий микро- и оптоэлектроники. Государственная премия СССР (1981).

разработки материалов и структур с заданными свойствами для изделий микро- и оптоэлектроники. Государственная премия СССР (1981).

Катыс, Георгий Петрович

Профессор кафедры теоретических основ оптоэлектроники Московского института

Пустовойт, Владимир Иванович

(р. 1936), учёный в области акусто- и оптоэлектроники, член

распространенный способ накачки — инжекция носителей через гетеропереход (гетеролазер). Применяют в оптической связи и локации, оптоэлектронике и др.

сварка, резка и т. п.) — медицине, оптической локации и связи, оптоэлектронике и др.

См. Квантовая электроника), оптоэлектронику (См. Оптоэлектроника), полупроводниковую электронику (См

в полупроводниках, фазовых переходов металл—полупроводник в применении к задачам оптоэлектроники

Ленина) по специальности "оптоэлектроника" в 1988 г., курс кадрового резерва в Академии Президента

полупроводниковых приборов – диодов, транзисторов, интегральных схем, устройств оптоэлектроники

в оптоэлектронике и квантовой электронике фазовых переходов металл — полупроводник.

Ленинская премия (1966

им. А. Ф. Иоффе с 1989 г., профессор кафедры оптоэлектроники Санкт-Петербургского электротехнического

от постоянного тока), большой срок службы, малые габариты и масса. См. также Оптоэлектроника.

Лит

Свечников С, В., Элементы оптоэлектроники, М., 1971.

Ю. Р. Носов.



Электрические схемы и выходные

квантово-размерных структур и полупроводниковых лазеров с целью создания нового поколения приборов нано- и оптоэлектроники.

в оптоэлектронике (См. Оптоэлектроника), дозиметрии (См. Дозиметрия), актинометрии (См. Актинометрия

физике полупроводников, теории экситонов, оптоэлектронике, твердотельной электронике. Является одним

приборов (см. Молекулярная электроника и Оптоэлектроника).

Наиболее развита полупроводниковая

вакуумных узлов. В функциональной М. используются оптич. явления (оптоэлектроника), взаимодействие

оптоэлектронику, твердотельную электронику, микроэлектронику (см. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ), ИК технику

с. Перспективным является использование в М. с. достижений оптоэлектроники (См. Оптоэлектроника

потоками в лазерной технике и оптоэлектронике, напр. халькогенидные ферриты-гранаты (YBi)₃Fe₅O

Ф. м.), а также в оптоэлектронике, дозиметрии, актинометрии, в оптических затворах, автоматически

применяются или могут применяться в устройствах для акусто- и оптоэлектроники, как лазерные материалы.

• см. также лития ниобат

Э. Г. Раков

связи (См. Оптическая связь), в Дальномерах и т. д. (см. также Оптоэлектроника), матрицы таких С. д

многочисленных технологических применений лазеров. На основе лазеров развиваются оптоэлектроника, бесконтактные системы записи и считывания информации.

г. в области физики за работы в области полупроводниковых гетероструктур для оптоэлектроники

астрономия, физика космических лучей), голография и оптоэлектроника, теоретическая и математическая

материалы ИК оптоэлектроники, лазерной техники.

Лит. см. при. ст. олово.

В. П. Зломанов

пьезокварцевые приборы, изделия квантовой, криогенной и оптоэлектроники, интегральной оптики), резисторы

и кристаллов; нелинейная оптика; фото-, катодо- и электролюминесценция; оптоэлектроника; квантовая

идеи применения лазеров в оптоэлектронике.

Вместе с А. М. Прохоровым создал в 1954 первый квантовый

в оптоэлектронике (См. Оптоэлектроника), фототелеграфии (См. Фототелеграфия) и телевидении (См. Телевидение

Оптоэлектроника и Функциональная электроника. Наибольшее развитие получила интегральная электроника. С её

в твёрдом теле (оптоэлектроника) и взаимодействие потока электронов с акустическими волнами в твёрдом

которых основано на использовании оптоэлектроники, голографии и т.д.) с учётом психофизиологических

различные электропреобразовательные приборы, приборы оптоэлектроники (См. Оптоэлектроника

Оптоэлектроника), сверхпроводников (См. Сверхпроводники); разработки запоминающих устройств ёмкостью несколько

Оптоэлектроника (излучатель в Оптроне, логические схемы, адресные устройства, голографические

и оптоэлектронике). Относительно прозрачные в ближнем ИК диапазоне ферриты-гранаты [напр., (YBi

О. стимулировали развитие оптоэлектроники (См. Оптоэлектроника). Первоначально она понималась как замена

промышленность, Ювелирная промышленность).

Развитие микроэлектроники, оптоэлектроники, нелинейной

оптоэлектроника, интегральная оптика. Разрабатываются способы изотопов разделения с использованием Л

О. стимулировали развитие оптоэлектроники. Первоначально её задачи сводились к простой замене электронных

оптоэлектроники, методам генерирования миллиметровых и субмиллиметровых волн, по изучению