[от Ди... и (электр)од (См. Электрод)], двухэлектродный электровакуумный, ионный (газоразрядный) или полупроводниковый прибор с односторонней проводимостью электрического тока. Электровакуумные и ионные...

ДИОД (от ди... и (электр)од) — 2-электродный электровакуумный, полупроводниковый или газоразрядный прибор с односторонней проводимостью. Применяется в электро- и радиоаппаратуре для выпрямления переменного тока, детектирования, преобразования частоты, переключения электрических цепей.

Ди/о́д/ [ди/(электр)од/].

ДИОД, электронный элемент с двумя ЭЛЕКТРОДАМИ, используемый в основном как ВЫПРЯМИТЕЛЬ для преобразования переменного тока в постоянный. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ диод, который почти полностью заменил прежний электровакуумный ламповый диод (см.

орф.

диод, -а

диод м.

Двухэлектродный прибор с односторонней электрической проводимостью, используемый в электроаппаратуре и радиоаппаратуре для выпрямления переменного тока, детектирования и т.п.

См. в ст. Электронная лампа.

ДИОД -а; м. [греч. di(s) — дважды] Двухэлектродный (обычно полупроводниковый) элемент с односторонней проводимостью (используется для выпрямления переменного тока, изменения его частоты и т.п.). Лампа-диод.

◁ Диодный, -ая, -ое. Д. ток.

Диод, диоды, диода, диодов, диоду, диодам, диод, диоды, диодом, диодами, диоде, диодах

[< гр. дважды] – рад. электронная лампа с двумя электродами: катодом и анодом; применяется как выпрямитель переменного тока, т. наз. кенотрон

ДИОД, а, м. (спец.). Двухэлектродный прибор с односторонней проводимостью.

| прил. диодный, ая, ое.

ДИОД а, м. diode < di(s) + hodos дорога, путь. техн. Двухэлектродный электровакуумный, ионный или полупроводниковый прибор, обладающий свойством проводить ток преимущественно в одном направлении и применяемый для выпрямления переменного тока. Крысин 1998. — Лекс. БСЭ-1: диод; СИС 1937: диод.

сущ., кол-во синонимов: 10 варактор 1 варикап 1 кенотрон 2 лампа 75 микродиод 1 светодиод 1 стабилитрон 2 стабистор 1 фотодиод 1 фоторезистор 1

(Diodymus) — см. Дидим.

Полупроводниковый прибор, работа которого основана на Ганна эффекте. Основным элементом Г. д. является полупроводниковый кристалл из арсенида галлия, фосфида индия или др. толщиной от единиц до сотен мкм, к которому присоединены 2 омических контакта.

односторонней проводимостью. К полупроводниковым диодам относят обширную группу приборов с р – n

Один из основных современных электронных приборов.

Различают: выпрямительные диоды, импульсные диоды

стабилитроны, диоды СВЧ. Среди оптоэлектронных полупроводниковых диодов выделяют фотодиоды

светоизлучающие диоды и полупроводниковые квантовые генераторы. От своих электровакуумных аналогов, напр

кенотрона, газоразрядного стабилитрона, газоразрядного индикатора, полупроводниковые диоды

ГАННА ДИОД — полупроводниковый диод, действие которого основано на Ганна эффекте. Применяется преимущественно для усиления и генерирования СВЧ-колебаний.

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ДИОД — полупроводниковый прибор с двумя электродами, обладающий односторонней

проводимостью. К полупроводниковым диодам относят обширную группу приборов с p-n-переходом, контактом

диоды. Служат для преобразования и генерирования электрических колебаний. Один из основных современных электронных приборов.

ТУННЕЛЬНЫЙ ДИОД — полупроводниковый диод, действие которого основано на туннельном эффекте

Полупроводниковый диод с сильной зависимостью полного электрического сопротивления от приложенного

1 вт и ёмкость 0,2—2 nф.

Лит.: Шпирт В. А., Полупроводниковый ограничительный диод СВЧ диапазона

Двухэлектродная Электронная лампа, разновидность Диода. Используется главным образом в качестве

чем газоразрядные и полупроводниковые диоды. Э. д. подразделяются на низковольтные маломощные

полупроводниковыми диодами (См. Полупроводниковый диод), обладающими большим кпд.

Лит. см. при ст. Электронная лампа.

диода (См. Полупроводниковый диод). Вид вольтамперной характеристики (ВАХ) Т. д. определяется главным

был предложен в 1957 лауреатом Нобелевской премии Л. Эсаки, поэтому Т. д. называют также диодом

1. Энергетические диаграммы электронно-дырочного перехода туннельного диода при различных

Рис. 2. Вольтамперные характеристики (ВАХ) туннельных диодов на основе Ge (1), GaSb (2), Si (3

и GaAs (4): U — напряжение смещения на туннельном диоде; I/Im — отношение тока через диод к току в максимуме ВАХ.

светодиод), полупроводниковый диод, генерирующий (при прохождении через него электрического тока

примесями. Для изготовления светоизлучающих диодов чаще всего применяют кристаллы арсенида галлия (GaAs

Шоттки диод, диод с барьером Шотки, Полупроводниковый диод, выполненный на основе контакта металл

диодов. При изготовлении Ш. д. на очищенную поверхность полупроводникового кристалла (Si, GaAs, реже

в приконтактной области полупроводника), как и в диодах с электронно-дырочным переходом (См. Электронно

по сравнению с полупроводниковыми диодами др. типов: возможность получать требуемую высоту

изготовления. Ш. д. служат главным образом СВЧ-диодами различного назначения (детекторными